Wybrane zagadnienia transportu elektronowego (TR-EL)
Informacje ogólne
Kod przedmiotu: | 1100-WZTE |
Kod Erasmus / ISCED: | (brak danych) / (brak danych) |
Nazwa przedmiotu: | Wybrane zagadnienia transportu elektronowego (TR-EL) |
Jednostka: | Wydział Fizyki |
Grupy: |
Fizyka, II stopień; przedmioty do wyboru Fizyka, II stopień; przedmioty sp. Fizyka materii skondensowanej i nanostruktur półprzewodnikowych Fizyka, II stopień; przedmioty z listy "Wybrane zagadnienia fizyki współczesnej" Inżynieria nanostruktur, II stopień; przedmioty dla II roku |
Punkty ECTS i inne: |
6.00
|
Język prowadzenia: | polski |
Skrócony opis: |
Podstawowym celem przedmiotu jest zapoznanie się studentów ze zjawiskami transportu elektronowego w strukturach metalicznych i półprzewodnikowych, z uzględnieniem spinu i fazy nośników, zarówno w układach z porządkiem dalekiego zasięgu, jak i materiałach z nieporządkiem. |
Pełny opis: |
1. Klasyczny transport dyfuzyjny. Model Drudego i efekt Halla dla małego Kazia. 2. Równanie Boltzmana. Magnetoopór. Efekt Halla raz jeszcze. Oscylacje Shubnikova de Haasa (lub de Haasa van Alphena), badanie powierzchni Fermiego. 3. Zjawiska termoelektryczne. 4. Zjawiska interferencyjne w transporcie elektronowym (oscylacje Aharonova-Bohma, Althulera-Aronova-Spivaka, dekoherencja, uniwersalne fluktuacje przewodnictwa, słaba (anty/)lokalizacja)). 5. Zjawiska spinowe w transporcie elektronowym. Wpływ oddziaływania spin-orbita na własnosci transportowe. 6. Tunelowanie, transport balistyczny: pomiary lokalne i nielokalne 7. Przewodnictwo pasmowe, lokalizacja, przewodnictwo hoppingowe |
Literatura: |
1. Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”, PWN 1999 2. J. Signleton, “Band Theory and Electronic Properties of Solids”, Oxford University Press 2009 3. P.Y. Yu, M. Cardona, „Fundamentals of Semiconductors”, 3rd edition, Springer 2001 4. Thomas Ihn, “Semiconductor Nanostructures”, Oxford Universiy Press 2012 5. H. Ibach, H. Lüth, „Solid state physics”, 4th edition, Springer 2009 6. R.S. Popovic, “Hall Effect Devices”, Institute of Physics Publishing 2004 7. V. F. Gantmakher, “Electrons and Disorder in Solids”, Clarendon Press, Oxford, 2005 8. B. M. Askerov, “Electron Transport Phenomena in Semicondcutors”, World Scientific 1994 |
Efekty uczenia się: |
W trakcie zajęć student powinien poznać różne mechanizmy transportu elektronowego, począwszy od klasycznego transportu dyfuzyjnego przez transport kwantowy, tunelowanie i hopping. |
Metody i kryteria oceniania: |
Zaliczenie wykładu: nie więcej niż 2 nieusprawiedliwione nieobecności; zaliczenie ćwiczeń: nie więcej niż 2 nieusprawiedliwione nieobecności; Na egzaminie jest test z wiedzy oraz 3 zadania. Uzyskanie 50% punktów z testu i egzaminu gwarantuje zaliczenie przedmiotu. Zadania domowe są nieobowiązkowe. Warunkiem uzyskania oceny bardzo dobrej jest ezgamin ustny. |
Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2023/24" (zakończony)
Okres: | 2023-10-01 - 2024-01-28 |
Przejdź do planu
PN WT WYK
ŚR CW
CZ PT |
Typ zajęć: |
Ćwiczenia, 30 godzin
Wykład, 30 godzin
|
|
Koordynatorzy: | Marta Borysiewicz | |
Prowadzący grup: | Marta Borysiewicz, Nevill Gonzalez Szwacki | |
Lista studentów: | (nie masz dostępu) | |
Zaliczenie: | Egzamin |
Właścicielem praw autorskich jest Uniwersytet Warszawski.